SK海力士宣布其第5代10nm工艺1bnm已完成验证并将为下一代DDR5和HBM3E解决方案提供动力。

SK海力士1bnm工艺为DDR5提供高达6.4Gbps的速度，为HBM3E提供高达8Gbps的速度

SK海力士还确认下一代1bnm节点将用于生产DDR5和HBM3E(高带宽内存)解决方案。该公司表示，至强可扩展平台获得了英特尔认证，支持基于1bnm节点构建的DDR5产品。1bnmDDR5内存的成功评估发生在1annm(第4代10nm节点)已经准备就绪并且也已完成英特尔认证的情况下。

在成功验证我们的1anm服务器DDR5产品与第四代英特尔®至强®可扩展处理器的兼容性后，SK海力士预计1bnmDDR5产品与英特尔的验证过程将顺利进行。

在内存市场将从下半年开始复苏的预期越来越高的情况下，我们相信我们行业领先的DRAM技术，这次通过1bnm工艺的量产再次证明，将帮助我们提高下半年的盈利。

开发初期试运行的DDR5产品运行速度为4.8Gbps，而JEDEC标准规定的DDR5最高速度为8.8Gbps

提供给英特尔的DDR5产品运行速度为6.4Gbps(目前业内最高)，数据处理速度比DDR5开发早期的试运行产品提高了33%。此外，由于采用了高介电常数材料的高K金属栅极工艺，1bnmDDR5内存的功耗将比1anm节点低20%，该工艺引入了可防止泄漏电流并提高电容的材料。

HBM3E(HBM3Extended)：HBM3E是第5代高带宽内存产品，是前几代HBM、HBM2、HBM2E和HBM3的继任者。SK海力士计划在下半年准备以8Gbps数据处理速度运行的HBM3E产品样品，并于2024年开始量产。

-SK海力士

该业务还表示，该公司将在2024年下半年之前对基于LPDDR5T和HBM3E的产品采用1bnm工艺。SK海力士计划准备以8Gbps数据处理速度运行的HBM3E产品样品，并于2024年开始量产。